Tehnologijo, ki je omogočila novi tranzistor, so znanstveniki označili kot različico že znane tehnologije IBM SIO (Silicon On Insulator). Pri tej tehnologiji je silicij na tanki plasti neprevodnega materiala, kar omogoča zmanjšanje električne moči, potrebne za preklop tranzistorja iz stanja 1 v stanje 0 (in nasprotno), in hkrati zmanjšuje »puščanje« električnega toka oziroma čezmerno porabo električne energije, s tem pa tudi zmanjšuje elektromagnetne motnje, ki jih vezje oddaja v okolico.
Intelova različica SIO uporablja tanjši izolator (t. i.