Sodeč po raziskovalcih družbe Intel, se nam v prihodnjih letih obeta prehod na novo tehnologijo pomnilnikov, imenovanih PRAM (Phase- RAM). Za razliko od današnjih pomnilnikov, predvsem flash RAM, pri katerih se podatki hranijo s spremembo električnih lastnosti celic, pomnilniki PRAM delujejo po načelu spreminjanja snovi iz kristalne v amorfno obliko, podobno kot poteka proces pri zapisovanju na nosilce CD-RW in DVD-RW. Bistvo nove tehnologije je, da je hramba podatkov v pomnilnikih PRAM precej bolj zanesljiva kot pri dosedanjih tehnologijah, napovedujejo pa tudi hitrejše delovanje, trenutno okrog dvakrat v primerjavi s pomnilniki flash RAM.