IBM in Infineon sta na simpoziju v Kiotu skupaj predstavila dokumentacijo o magnetnem pomnilniku MRAM (Magnetic Random Access Memory), eni najobetavnejših tehnologij za zamenjavo pomnilnika flash v telefonih. V pomnilniški celici v čipu ustvarijo drobno magnetno polje, ki ga sistem lahko prebere in tako določi vsebino.