Čeprav so tranzistorje na podlagi silicija v Texas Instruments začeli izdelovati že leta 1954, je še vedno šlo za posamezne polprevodniške elemente. Leta 1958 pa je Kilby, inženir v istem podjetju, na kos germanija, dolg dober centimeter in s premerom okoli dva milimetra, nanizal pet elementov. Izum integriranega vezja pa poleg Texas Instruments pripisujejo tudi podjetju Fairchild Semiconductors, saj je nekaj mesecev pozneje podoben podvig uspel tudi Noycu, le da za izdelavo svojega vezja ni uporabil germanija, temveč plast silicijevega oksida na ploščici silicija, na kateri so bile aluminijaste povezave med posameznimi elementi.