Pri tej tehnologiji je silicij na tanki plasti neprevodnega materiala, kar omogoča zmanjšanje električne moči, potrebne za preklop tranzistorja iz stanja 1 v stanje 0 (in nasprotno), in hkrati zmanjšuje »puščanje« električnega toka oziroma čezmerno porabo električne energije, s tem pa tudi zmanjšuje elektromagnetne motnje, ki jih vezje oddaja v okolico.
Intelova različica SIO uporablja tanjši izolator (t. i. Ultra Thin SIO) in bolj 'osiromašen' (z manj elektroni) silicij.